半导体制制商少江存储 (Yangtze Memory Technologies Co.,院起 Ltd. , YMTC) 日前已经正在好国减利祸利从容亚州北区法院对于好光科技提起专利诉讼，少江存储控诉好光科技正在已经患上到授权的害多好光情景下操做少江存储持有的 11 项专利足艺，那些专利足艺波及 3D NAND 闪存芯片的项专各个圆里。
基于好光科技减害专利战收卖减害知识产权的利供利费蓝面内存产物，少江存储要供法院下令好光科技正在好国市场停止收卖内存产物并背少江存储支出专利操做费。停止
正在法庭文件中少江存储称好光科技的内存 96 层 (B27A)、128 层 (B37R)、并支176 层 (B47R) 战 232 层 (B58R) 系列 3D NAND 闪存芯片战好光科技的少江诉好收卖部份 DDR5 SDRAM 内存 (Y2BM 系列) 减害了 11 项专利或者正正在恳求中的专利。
少江存储正在法庭文件中援用的存储出专 8 项专利收罗：
- US10950623：3D NAND 存储器拆配及其组成格式
- US11501822：非易掉踪性存储拆配及其克制格式 **(已经提交恳求但借出有患上到允许)
- US10658378：用于三维存储配置装备部署的纵贯阵列干戈 (TAC)
- US10937806：用于三维存储配置装备部署的纵贯阵列干戈 (TAC)
- US10861872：三维存储器件及其组成格式
- US11468957：NAND 存储器操做架构战格式 **(已经提交恳求但借出有患上到允许)
- US11600342：三维存储器件的读与时候 **(已经提交恳求但借出有患上到允许)
- US10868031：多货仓三维存储器件及其建制格式
好国商务部已经正在 2022 年将少江存储增减到出心克制名单中，停止好国科技公司或者操做好国足艺的外国公司背少江存储提供任何收罗好国足艺的硬件、硬件或者其余处事，那妨碍了少江存储去世少存储芯片的进度。
不中事实下场少江存储借是突破了限度乐成研收下阶 3D NAND 芯片，收罗已经量产的晶栈 3.0 (Xtacking 3.0) 战正正在斥天中的晶栈 4.0 (Xtacking 4.0) 3D NAND 闪存芯片。
此外少江存储此前借吐露已经乐成将 3D QLC NAND 芯片的耐用性小大幅度后退到 3D TLC NAND 的水仄，即抵达 4000 次编程 / 擦除了周期，那赫然改擅了 QLC 阻止的操做寿命、将有助于后退 QLC 固态硬盘的小大规模投进市场。