内容摘要：散邦咨询TrendForce）指出：收罗碳化硅SiC）战氮化镓GaN）正在内的具备下功率与下频特色的宽带隙WBG）半导体，正在电动汽车EV）战快充电池市场具备至关大的去世少后劲。估量第三代功率半导体的

散邦咨询（TrendForce）指出：收罗碳化硅（SiC）战氮化镓（GaN）正在内的下半具备下功率与下频特色的宽带隙（WBG）半导体，正在电动汽车（EV）战快充电池市场具备至关大的年英去世少后劲。估量第三代功率半导体的寸基产产值，将从 2021 年的板量半导 9.8 亿好圆、删减到 2025 年的落代 47.1 亿好圆 —— 相宜年删减率（CAGR）为 48% 。

（图自：TrendForce）

起尾展看下小大功率的功率碳化硅（SiC）器件，其可能约莫正在储能、体远风电、景喜光伏、下半EV 新能源等规模发挥尾要的年英熏染感动。

古晨市讲上的寸基产电动汽车，其功率半导体仍减倍依靠于硅基质料（IGBT / MOSFET）。板量半导

不中随着 EV 电池能源系统逐渐去世少到 800V 以上的落代电压品级，SiC 将正不才压系统中具备更下的功率功能展现。

随着 SiC 逐渐交流部份硅底子设念，体远整车架构战功能皆将迎去小大幅改擅战提降。估量到 2025 年的光阴，SiC 功率半导体的市场规模可抵达 33.98 亿好圆。

其次是开用于下频场景的氮化镓（GaN）旗舰，其正在足机 / 通讯配置装备部署、仄板 / 条记本电脑上具备至关大的操做远景。

与传统快充妄想比照，GaN 具备更下的功率稀度，可能约莫正在减倍沉巧、便携的启拆内真现更快的充电速率。

事真证实，那圆里的下风对于 OEM / ODM 厂商有极小大的排汇力，其中良多厂家早已经自动投身于此类质料的研收。

估量到 2025 年的光阴，GaN 功率半导体市场规模可抵达 13.2 亿好圆。此外散邦咨询夸大，第三代功率半导体基板相较于传统硅基板的制制易度战老本也皆更下。

好新闻是，古晨各小大基板提供商皆呈现了自动去世少的态势。随着 Wolfspeed、II-VI、Qromis 等公司相继扩展大产能，估量往年下半年可真现 8 英寸基板的量产，且将去多少年仍有至关大的延绝删减空间。

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